JFET, 2SK3557-6-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Ancho
1.5mm
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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| 25 - 100 | € 0,35 | € 8,74 |
| 125 - 225 | € 0,316 | € 7,89 |
| 250 - 600 | € 0,282 | € 7,05 |
| 625 - 1225 | € 0,241 | € 6,02 |
| 1250+ | € 0,184 | € 4,59 |
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Configuration
Single
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Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Ancho
1.5mm
Longitud
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Altura
1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
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