Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TP-FA
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
140, 200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
390 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
700
P.O.A.
700
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TP-FA
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
140, 200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
390 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.