Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Altura
0.9mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,029
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,029 | € 87,71 |
6000+ | € 0,028 | € 84,20 |
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Altura
0.9mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto