MOSFET onsemi 2N7002LT1G, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 22,72
€ 0,045 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,045 | € 2,27 |
| 1000 - 2450 | € 0,045 | € 2,27 |
| 2500 - 4950 | € 0,043 | € 2,15 |
| 5000+ | € 0,042 | € 2,09 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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