MOSFET onsemi 2N7002ETG, VDSS 60 V, ID 260 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Si
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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