Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V dc
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Altura
15.75mm
Profundidad
4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.28mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V dc
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Altura
15.75mm
Profundidad
4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.28mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.