Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Altura
15.75mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.53mm
País de Origen
China
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 1,028
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 1,028
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Altura
15.75mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.53mm
País de Origen
China