Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Longitud
10.53mm
Altura
15.75mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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€ 1,021
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Tensión Máxima Colector-Emisor
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Tensión Máxima Emisor-Base
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
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Número de Elementos por Chip
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1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Longitud
10.53mm
Altura
15.75mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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