Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
1mA
Altura
8.51mm
Ancho
26.67mm
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Longitud
39.37mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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€ 7,632
Each (In a Tray of 100) (Sin IVA)
100
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12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
1mA
Altura
8.51mm
Ancho
26.67mm
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Longitud
39.37mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
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