Transistor Darlington, 2N6045G, NPN 8 A, 100 V, HFE:100, TO-220AB, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Altura
4.82mm
Ancho
10.28mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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| 100 - 495 | € 0,596 | € 2,98 |
| 500 - 995 | € 0,58 | € 2,90 |
| 1000+ | € 0,566 | € 2,83 |
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Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Altura
4.82mm
Ancho
10.28mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
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