Transistor Darlington, 2N6045G, NPN 8 A, 100 V, HFE:2500, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2500
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.82mm
Profundidad
10.28mm
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Longitud:
15.75mm
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,682 | € 34,09 |
| 100 - 450 | € 0,641 | € 32,05 |
| 500 - 950 | € 0,625 | € 31,23 |
| 1000+ | € 0,608 | € 30,41 |
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100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2500
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.82mm
Profundidad
10.28mm
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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