Transistor, 2N5551BU, NPN 600 mA 160 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
160 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
180 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, más de 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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€ 0,038 Cada Uno (En una Bolsa de 10000) (Sin IVA)
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5.2 x 4.19 x 5.33mm
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