Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
6 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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P.O.A.
10
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ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
6 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC