Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.28 x 4.82 x 15.75mm
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
10
P.O.A.
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10
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ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.28 x 4.82 x 15.75mm