MOSFET onsemi NVMFS5C604NLWFAF, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
287 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.1mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Serie
NVMFS5C604NL
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.05mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Single
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±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud
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120 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.1mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Serie
NVMFS5C604NL
Temperatura Mínima de Operación
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