MOSFET onsemi NTZD5110NG, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.6mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.6mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products