MOSFET onsemi NTTFS4928, VDSS 30 V, ID 37 A, WDFN de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
20.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150 °C
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Altura
0.75mm
Serie
NTTFS4928N
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
20.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
150 °C
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
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