MOSFET onsemi NTS4001NG, VDSS 30 V, ID 270 mA, SOT-323 (SC-70) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
270 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.9mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
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