MOSFET onsemi NTP8G206NG, VDSS 600 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, config. Cascode
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
Cascode
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Material del transistor
GaN
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.53mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Ancho
4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.2V
Altura
15.75mm
País de Origen
Philippines
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Material del transistor
GaN
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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