Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
350 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Transistor Configuration
Cascode
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.53mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
GaN
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.1V
Altura
15.75mm
País de Origen
Philippines
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
350 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Transistor Configuration
Cascode
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.53mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
GaN
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.1V
Altura
15.75mm
País de Origen
Philippines