Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
27 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
27 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 4,5 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto