MOSFET onsemi NTJD4105CG, VDSS 8 V, 20 V, ID 1,1 A, 910 mA, SOT-363 (SC-88) de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A, 910 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V, 20 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
445 mΩ, 900 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
550 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, -8 V, +12 V, +8 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 4,5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, -8 V, +12 V, +8 V
Número de Elementos por Chip
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 4,5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
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