MOSFET onsemi NTD5865NG, VDSS 60 V, ID 43 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
43,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.38mm
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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