MOSFET onsemi NTD5865N-1G, VDSS 60 V, ID 38 A, IPAK de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
IPAK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.38mm
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5
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Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
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Ancho
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Material del transistor
Si
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