Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
21.5V
Tensión Mínima de Ruptura
13.6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UDFN
Conteo de Pines
6
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
100A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.8 x 2 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
0.5mm
Ancho
2mm
Longitud
1.8mm
Tensión de trabajo
13.5V
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
21.5V
Tensión Mínima de Ruptura
13.6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UDFN
Conteo de Pines
6
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
100A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.8 x 2 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
0.5mm
Ancho
2mm
Longitud
1.8mm
Tensión de trabajo
13.5V