MOSFET onsemi NDF05N50ZG, VDSS 500 V, ID 5,5 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
10.63mm
Ancho
4.9mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
16.12mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
10.63mm
Ancho
4.9mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
16.12mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products