MOSFET onsemi NDD02N60Z-1G, VDSS 600 V, ID 2,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Profundidad
2.38mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
7.62mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Profundidad
2.38mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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