Doble uso

Memoria SRAM onsemi, 256kbit, 32k x 8 bits, 20MHZ, TSSOP-8, VCC máx. 3,6 V

Código de producto RS: 802-1960Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: N25S830HAT22I
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tamaño de la Memoria

256kbit

Organización

32K x 8 bits

Número de Palabras

32K

Número de Bits de Palabra

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

25ns

Ancho del Bus de Direcciones

16bit

Frecuencia de Reloj

20MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de Temporizador

Synchronous

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4.5 x 3.1 x 1.05mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.05mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Longitud:

4.5mm

Profundidad

3.1mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Datos del producto

RAM estática, ON Semiconductor

Memoria serie estática de acceso aleatorio (SRAM).

SRAM (Static Random Access Memory)

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Memoria SRAM onsemi, 256kbit, 32k x 8 bits, 20MHZ, TSSOP-8, VCC máx. 3,6 V

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
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8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

25ns

Ancho del Bus de Direcciones

16bit

Frecuencia de Reloj

20MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de Temporizador

Synchronous

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4.5 x 3.1 x 1.05mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.05mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Longitud:

4.5mm

Profundidad

3.1mm

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

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