Diodo, MR756RLG, 6A, 600V, Encapsulado 194, 2-Pines 900mV, Conexión de silicio
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
Case 194
Corriente Continua Máxima Directa
6A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
600V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
900mV
Número de Elementos por Chip
1
Diámetro
8.69mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
400A
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P.O.A.
5
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Through Hole
Tipo de Encapsulado
Case 194
Corriente Continua Máxima Directa
6A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
600V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
900mV
Número de Elementos por Chip
1
Diámetro
8.69mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
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