Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
4.5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
PRICED TO CLEAR
Yes
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, hasta 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
3000
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ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
4.5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
PRICED TO CLEAR
Yes
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, hasta 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.