Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 Ω
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 Ω
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines