JFET, MMBFJ110, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 806-4302PMarca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: MMBFJ110
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

min. 10mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

85pF

Capacidad Fuente-Puerta

85pF

Dimensiones del Cuerpo

2.92 x 1.4 x 0.94mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.92mm

Altura

0.94mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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JFET, MMBFJ110, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
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Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
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-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

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Single

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

85pF

Capacidad Fuente-Puerta

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Dimensiones del Cuerpo

2.92 x 1.4 x 0.94mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

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Longitud

2.92mm

Altura

0.94mm

Ancho

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