JFET, MMBF4392, N-Canal, 0,4 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
25 → 75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
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Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
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JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
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