Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
350 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
2 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
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P.O.A.
75
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Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
350 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
2 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC