Transistor Darlington, MJD122G, NPN 8 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.01mA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Altura
2.38mm
Profundidad
6.22mm
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
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3
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.01mA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Altura
2.38mm
Profundidad
6.22mm
Dimensiones del Cuerpo
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