Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
2 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
3.43mm
Ancho
6.85mm
Dimensiones del Cuerpo
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-20 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
19.55mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
2 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
3.43mm
Ancho
6.85mm
Dimensiones del Cuerpo
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-20 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
19.55mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.