Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorConfiguración de diodo
Ánodo común
Corriente Máxima Directa
100 mA, 150 mA
Número de Elementos por Chip
2
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
40V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.2V
Capacitancia Máxima del Diodo
15pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Ancho
1.35mm
Altura
0.9mm
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 0.9mm
Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo
100 Ω @ 100 mA
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P.O.A.
250
P.O.A.
250
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Ánodo común
Corriente Máxima Directa
100 mA, 150 mA
Número de Elementos por Chip
2
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
40V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.2V
Capacitancia Máxima del Diodo
15pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Ancho
1.35mm
Altura
0.9mm
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 0.9mm
Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo
100 Ω @ 100 mA