Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 → -25mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 → -25mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm