onsemi J176_D74Z P-Channel JFET, Idss -2 → -25mA, 3-Pin TO-92

Código de producto RS: 146-2050Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: J176_D74Z
brand-logo
Ver todo en JFET

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

-2 → -25mA

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 Ω

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Encapsulado

TO-92

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Altura

5.33mm

Ancho

4.19mm

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.2mm

País de Origen

Japan

Datos del producto

JFET de canal P, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

P.O.A.

onsemi J176_D74Z P-Channel JFET, Idss -2 → -25mA, 3-Pin TO-92

P.O.A.

onsemi J176_D74Z P-Channel JFET, Idss -2 → -25mA, 3-Pin TO-92
Información de stock no disponible temporalmente.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

-2 → -25mA

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 Ω

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Encapsulado

TO-92

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Altura

5.33mm

Ancho

4.19mm

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.2mm

País de Origen

Japan

Datos del producto

JFET de canal P, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more