MOSFET onsemi FQU1N60CTU, VDSS 600 V, ID 1 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2,5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,8 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.6mm
Ancho
2.3mm
Material del transistor
Si
Series
QFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
6.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N QFET®, hasta 5,9 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.6mm
Ancho
2.3mm
Material del transistor
Si
Series
QFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
6.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N QFET®, hasta 5,9 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
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ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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