Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorDisipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
P
Conteo de Pines
4
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorDisipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
P
Conteo de Pines
4
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China