MOSFET onsemi FDMS86182, VDSS 100 V, ID 78 A, PQFN de 8 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-4090Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FDMS86182
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

78 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 a 10 V nC

Ancho

5.85mm

Número de Elementos por Chip

2

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
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4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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±20 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

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