MOSFET onsemi FDMS86180, VDSS 100 V, ID 151 A, PQFN de 8 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-4098Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FDMS86180
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

151 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

138 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 a 10 V nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

6mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

1.05mm

Serie

PowerTrench

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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