MOSFET onsemi FDMA530PZ, VDSS 30 V, ID 6.8 A, MLP de 6 pines, config. Simple
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
P
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Conteo de Pines
6
Transistor Configuration
Single
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
0.75mm
Longitud:
2mm
Serie
PowerTrench
Profundidad
2mm
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Tipo de Encapsulado
MLP EP
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Brand
ON SemiconductorCarga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
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P.O.A.
Estándar
5
P.O.A.
Estándar
5
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Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
P
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Conteo de Pines
6
Transistor Configuration
Single
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
0.75mm
Longitud:
2mm
Serie
PowerTrench
Profundidad
2mm
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Tipo de Encapsulado
MLP EP
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Brand
ON SemiconductorCarga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V