Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
IPAK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V dc, ±30 V ac
Profundidad
2.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
6.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
7.57mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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P.O.A.
1800
P.O.A.
1800
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
IPAK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V dc, ±30 V ac
Profundidad
2.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
6.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
7.57mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China