Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorFrecuencia de Conmutación Máxima
630 kHz
Corriente de Arranque
110µA
Corriente de Fuente Máxima
-4µA
Corriente Máxima de Sumidero
12µA
Corriente de Alimentación Máxima
5.2 mA
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
16
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4 x 1.5mm
Altura
1.5mm
Longitud
10mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
18 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Ancho
4mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
9 V
País de Origen
Malaysia
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P.O.A.
5
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630 kHz
Corriente de Arranque
110µA
Corriente de Fuente Máxima
-4µA
Corriente Máxima de Sumidero
12µA
Corriente de Alimentación Máxima
5.2 mA
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
16
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4 x 1.5mm
Altura
1.5mm
Longitud
10mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
18 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Ancho
4mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
9 V
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