Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10V
Tensión Mínima de Ruptura
5.5V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DSN
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
16A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
0.625 x 0.325 x 0.207mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.207mm
Profundidad
0.325mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Capacitancia
0.4pF
Longitud:
0.625mm
Datos del producto
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10V
Tensión Mínima de Ruptura
5.5V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DSN
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
16A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
0.625 x 0.325 x 0.207mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.207mm
Profundidad
0.325mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Capacitancia
0.4pF
Longitud:
0.625mm
Datos del producto