Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-416 (SC-75)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
338 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
60
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
1
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 0.9 x 0.9mm
Typical Input Resistor
10 kΩ
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-416 (SC-75)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
338 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
60
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
1
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 0.9 x 0.9mm
Typical Input Resistor
10 kΩ