Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
9.9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.05 x 1.4 x 0.97mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Altura
0.97mm
Profundidad
1.4mm
Corriente de Prueba
8µA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Capacidad
2pF
Longitud
3.05mm
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
9.9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.05 x 1.4 x 0.97mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Altura
0.97mm
Profundidad
1.4mm
Corriente de Prueba
8µA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Capacidad
2pF
Longitud
3.05mm
País de Origen
China
Datos del producto