Par Darlington, BDX53CG, NPN 8 A, 100 V, HFE:750, TO-220AB, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Altura
9.28mm
Ancho
4.82mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 9.28mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.28mm
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
50
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Tensión Máxima Colector-Emisor
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
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3
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Altura
9.28mm
Ancho
4.82mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 9.28mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
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